Calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC

MOCVD es una tecnología de crecimiento de película delgada de precisión que se usa ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores, optoelectrónicos y microelectrónicos. Mediante la tecnología MOCVD, se pueden depositar películas de material semiconductor de alta calidad sobre sustratos (como silicio, zafiro, carburo de silicio, etc.).

En los equipos MOCVD, el calentador MOCVD de grafito de recubrimiento SIC proporciona un entorno de calentamiento uniforme y estable en la cámara de reacción de alta temperatura, lo que permite que la reacción química de la fase gaseosa continúe, depositando así la película delgada deseada en la superficie del sustrato.

El calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC de VeTek Semiconductor está hecho de material de grafito de alta calidad con revestimiento de SiC. El calentador MOCVD de grafito recubierto de SiC genera calor mediante el principio de calentamiento por resistencia.

El núcleo del calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC es el sustrato de grafito. La corriente se aplica a través de una fuente de alimentación externa y las características de resistencia del grafito se utilizan para generar calor para alcanzar la alta temperatura requerida. La conductividad térmica del sustrato de grafito es excelente, lo que puede conducir rápidamente el calor y transferir uniformemente la temperatura a toda la superficie del calentador. Al mismo tiempo, el recubrimiento SIC no afecta la conductividad térmica del grafito, lo que permite que el calentador responda rápidamente a los cambios de temperatura y garantice una distribución de temperatura uniforme.

El grafito puro es propenso a la oxidación en condiciones de alta temperatura. El recubrimiento SIC aísla efectivamente el grafito del contacto directo con el oxígeno, evitando así las reacciones de oxidación y extendiendo la vida útil del calentador. Además, el equipo MOCVD utiliza gases corrosivos (como amoníaco, hidrógeno, etc.) para la deposición de vapor químico. La estabilidad química del recubrimiento SIC le permite resistir efectivamente la erosión de estos gases corrosivos y proteger el sustrato de grafito.

Bajo altas temperaturas, los materiales de grafito sin recubrimiento pueden liberar partículas de carbono, lo que afectará la calidad de deposición de la película. La aplicación de recubrimiento SIC inhibe la liberación de partículas de carbono, lo que permite que el proceso de MOCVD se llevará a cabo en un entorno limpio, que satisface las necesidades de fabricación de semiconductores con altos requisitos de limpieza.

Finalmente, el calentador MOCVD de grafito de recubrimiento SiC generalmente está diseñado en una forma circular u otra regular para garantizar una temperatura uniforme en la superficie del sustrato. La uniformidad de la temperatura es crítica para el crecimiento uniforme de películas gruesas, especialmente en el proceso de crecimiento epitaxial de MOCVD de compuestos III-V como GaN e INP.

Vetek Semiconductor ofrece servicios de personalización profesional. Las capacidades de mecanizado y recubrimiento SIC líder en la industria nos permiten fabricar calentadores de nivel superior para equipos MOCVD, adecuados para la mayoría de los equipos MOCVD.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD

Talleres de calentadores MOCVD de grafito con revestimiento de SiC de VeTeK Semiconductor