MOCVD SIC RECEATIVO

Vetek Semiconductor MOCVD SIC Coating Susceptor está hecho de alta calidadgrafito, que se selecciona por su estabilidad térmica y excelente conductividad térmica (aproximadamente 120-150 w/m · k). Las propiedades inherentes del grafito lo convierten en un material ideal para resistir las duras condiciones dentroReactores MOCVD. Para mejorar su rendimiento y prolongar su vida útil, el susceptor de grafito se recubre cuidadosamente con una capa de carburo de silicio (SiC).

El susceptor de recubrimiento SIC de MOCVD es un componente clave utilizado endeposición química de vapor (CVD)yProcesos de deposición de vapor químico orgánico de metal (MOCVD). Su función principal es soportar y calentar las obleas de silicio o carburo de silicio (SIC) y garantizar una deposición de gas uniforme en un entorno de alta temperatura. Es un producto indispensable en el procesamiento de semiconductores.

Aplicaciones del susceptor de recubrimiento SIC MOCVD en el procesamiento de semiconductores:

Soporte y calentamiento de obleas.:

El susceptor de recubrimiento de SiC MOCVD no solo tiene una potente función de soporte, sino que también puede calentar eficazmente elobleaUniformemente para garantizar la estabilidad del proceso de deposición de vapor químico. Durante el proceso de deposición, la alta conductividad térmica del recubrimiento SIC puede transferir rápidamente la energía térmica a cada área de la oblea, evitando el sobrecalentamiento local o la temperatura insuficiente, asegurando así que el gas químico se pueda depositar uniformemente en la superficie de la oblea. Este efecto de calentamiento y deposición uniforme mejora enormemente la consistencia del procesamiento de la oblea, lo que hace que el grosor de la película superficial de cada oblea sea uniforme y reduzca la tasa de defectos, mejorando aún más el rendimiento de producción y la confiabilidad del rendimiento de los dispositivos semiconductores.

Crecimiento de la epitaxia:

En elproceso MOCVDLos portadores recubiertos de SIC son componentes clave en el proceso de crecimiento de la epitaxia. Se utilizan específicamente para soportar y calentar las obleas de silicio y carburo de silicio, asegurando que los materiales en la fase de vapor químico se puedan depositar de manera uniforme y precisa en la superficie de la oblea, formando así estructuras de películas delgadas sin defectos de alta calidad. Los recubrimientos SIC no solo son resistentes a las altas temperaturas, sino que también mantienen la estabilidad química en entornos de procesos complejos para evitar la contaminación y la corrosión. Por lo tanto, los portadores recubiertos de SIC juegan un papel vital en el proceso de crecimiento de la epitaxia de dispositivos semiconductores de alta precisión, como dispositivos de potencia SIC (como MOSFETS y diodos SIC), LED (especialmente LED azules y ultravioletas) y células solares fotovoltaicas.

Nitruro de galio (GaN)y epitaxia de arseniuro de galio (GaAs):

Los portadores recubiertos de SiC son una opción indispensable para el crecimiento de capas epitaxiales de GaN y GaAs debido a su excelente conductividad térmica y bajo coeficiente de expansión térmica. Su eficiente conductividad térmica puede distribuir uniformemente el calor durante el crecimiento epitaxial, asegurando que cada capa de material depositado pueda crecer uniformemente a una temperatura controlada. Al mismo tiempo, la baja expansión térmica del SiC le permite permanecer dimensionalmente estable bajo cambios extremos de temperatura, lo que reduce efectivamente el riesgo de deformación de la oblea, garantizando así la alta calidad y consistencia de la capa epitaxial. Esta característica convierte a los portadores recubiertos de SiC en una opción ideal para fabricar dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia (como dispositivos GaN HEMT) y dispositivos optoelectrónicos y de comunicaciones ópticas (como detectores y láseres basados ​​en GaAs).

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