Cabezal de ducha de grafito recubierto de CVD Sic

Veteksemicon CVD Sic recubierto de ducha de grafito, su superficie de ingeniería de precisión asegura una distribución uniforme de gas, lo cual es fundamental para lograr una deposición de películas consistente en las obleas. ElRecubrimiento sicNo solo mejora la resistencia al desgaste y la resistencia a la oxidación, sino que también extiende la vida útil en condiciones de proceso duras.

Ampliamente aplicada en la fabricación de obleas de semiconductores, epitaxia y deposición de película delgada, el cabezal de ducha de grafito recubierto de CVD es una opción ideal para los fabricantes que buscan componentes de procesos confiables, de alta pureza y duraderos que satisfacen las demandas de la producción de semiconductores de próxima generación.

El cabezal de ducha de carburo de silicio Veteksemi CVD se fabrica a partir de carburo de silicio depositado por vapor químico de alta pureza y está optimizado para los procesos CVD y MOCVD en las industrias de electrones de semiconductores, LED y avanzados. Su excelente estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y distribución uniforme de gases garantizan un funcionamiento estable a largo plazo en entornos a alta temperatura y altamente corrosivos, mejorando significativamente la repetibilidad y el rendimiento del proceso.

Veteksemicon CVD Sic recubrimiento con ventanas del núcleo del cabezal de ducha de grafito

● Ultra alta pureza y densidad

El cabezal de ducha de grafito recubierto de CVD SIC se fabrica utilizando un proceso CVD de alta pureza, asegurando una pureza de material de ≥99.9995%, eliminando cualquier impureza metálica. Su estructura no porosa previene efectivamente la permeación de gas y el desprendimiento de partículas, lo que la hace ideal para la epitaxia semiconductora y los procesos de envasado avanzados que requieren una limpieza extremadamente alta. En comparación con los componentes de SIC o grafito sinterizados tradicionales, nuestro producto mantiene un rendimiento estable incluso después de una operación prolongada de alta temperatura, reduciendo la frecuencia de mantenimiento y los costos de producción.

● Excelente estabilidad térmica

En los procesos CVD y MOCVD de alta temperatura, los materiales convencionales son susceptibles a la deformación o agrietamiento debido al estrés térmico. El cabezal de ducha CVD SIC soporta temperaturas de hasta 1600 ° C y presenta un coeficiente extremadamente bajo de expansión térmica, lo que garantiza la estabilidad estructural durante la temperatura rápida aumenta y disminuye. Su conductividad térmica uniforme optimiza aún más la distribución de la temperatura dentro de la cámara de reacción, minimizando las diferencias de la tasa de deposición entre el borde de la oblea y el centro, y mejorando la uniformidad de la película.

● Corrosión contra el plasma

Durante los procesos de grabado o deposición, gases altamente corrosivos (como la FQ₄, CL₂y HBR) erosiona rápidamente los componentes de cuarzo convencional o grafito. El material SIC CVD exhibe una resistencia de corrosión excepcional en entornos de plasma, con una vida útil de 3-5 veces la de los materiales convencionales. Las pruebas de clientes reales han demostrado que incluso después de 2000 horas de operación continua, la variación del tamaño de poro permanece dentro de ± 1%, lo que garantiza la distribución de flujo de gas estable a largo plazo.

● Larga vida y bajo costo de mantenimiento

Si bien los componentes de grafito tradicionales requieren un reemplazo frecuente, el cabezal de ducha CVD con recubierto de SIC mantiene un rendimiento estable incluso en entornos hostiles. Esto reduce los costos generales en más del 40%. Además, la alta resistencia mecánica del material evita el daño accidental durante el manejo o la instalación.

● Respaldo de verificación ecológica

La verificación ecológica de la cadena ecológica de Veteksemicon CVD Silicon Carbide Chain Cubre las materias primas a la producción, ha aprobado la certificación estándar internacional y tiene una serie de tecnologías patentadas para garantizar su confiabilidad y sostenibilidad en los semiconductores y los nuevos campos de energía.

Parámetros técnicos

Proyecto	Parámetro
Material	CVD SIC (opciones de recubrimiento disponibles)
Rango de diámetro	100 mm-450 mm (personalizable)
Tolerancia al grosor	± 0.05 mm
Aspereza de la superficie	≤0.2 μm
Proceso aplicable	CVD/MOCVD/PECVD/ETCHING/EPITAXY

Campos de aplicación principales

Dirección de aplicación	Escenario típico
Fabricación de semiconductores	Epitaxy de silicio, dispositivos GaAs/GaAs
Electrónica de potencia	Producción de obleas epitaxial sic
CONDUJO	Deposición del sustrato de zafiro MOCVD
Equipo de investigación científica	Sistema de deposición de película delgada de alta precisión

Respaldo de verificación ecológica

La verificación ecológica de la cadena ecológica de Veteksemicon CVD Silicon Carbide Chain Cubre las materias primas a la producción, ha aprobado la certificación estándar internacional y tiene una serie de tecnologías patentadas para garantizar su confiabilidad y sostenibilidad en los semiconductores y los nuevos campos de energía.

Para especificaciones técnicas detalladas, documentos blancos o arreglos de prueba de muestra, por favorPóngase en contacto con nuestro equipo de soporte técnicoPara explorar cómo Veteksemicon puede mejorar la eficiencia de su proceso.