Tecnología de pulverización térmica semiconductora

La tecnología de pulverización térmica semiconductora es un proceso avanzado que rocía materiales en un estado fundido o semi-molesto en la superficie de un sustrato para formar un recubrimiento. Esta tecnología se usa ampliamente en el campo de la fabricación de semiconductores, se utiliza principalmente para crear recubrimientos con funciones específicas en la superficie del sustrato, como conductividad, aislamiento, resistencia a la corrosión y resistencia a la oxidación. Las principales ventajas de la tecnología de pulverización térmica incluyen alta eficiencia, espesor de recubrimiento controlable y buena adhesión de recubrimiento, lo que lo hace particularmente importante en el proceso de fabricación de semiconductores que requiere alta precisión y confiabilidad.

Aplicación de la tecnología de pulverización térmica en semiconductores

Grabado con haz de plasma (grabado en seco)

Por lo general, se refiere al uso de la descarga de brillo para generar partículas activas de plasma que contienen partículas cargadas como plasma y electrones y átomos y moléculas neutros altamente activos químicamente activos y radicales libres, que se difunden a la parte a ser grabados, reaccionan con el material grabado, forman volátiles volátiles Productos y se eliminan, completando así la tecnología de grabado de transferencia de patrones. Es un proceso irremplazable para realizar la transferencia de alta fidelidad de patrones finos desde plantillas de fotolitografía hasta obleas en la producción de circuitos integrados a escala ultra-grande.

Se generará una gran cantidad de radicales libres activos como CL y F. Cuando graban dispositivos semiconductores, corroen las superficies internas de otras partes del equipo, incluidas las aleaciones de aluminio y las partes estructurales cerámicas. Esta fuerte erosión produce una gran cantidad de partículas, lo que no solo requiere un mantenimiento frecuente de equipos de producción, sino que también causa falla en la cámara del proceso de grabado y el daño al dispositivo en casos severos.

Y2O3 es un material con propiedades químicas y térmicas muy estables. Su punto de fusión está muy por encima de 2400 ℃. Puede permanecer estable en un entorno corrosivo fuerte. Su resistencia al bombardeo en plasma puede extender en gran medida la vida útil de los componentes y reducir las partículas en la cámara de grabado.

La solución principal es rociar el recubrimiento Y2O3 de alta pureza para proteger la cámara de grabado y otros componentes clave.