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Protector de recubrimiento SIC CVD
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Protector de recubrimiento SIC CVD

El protector de recubrimiento CVD SIC de Vetek Semiconductor utilizado es LPE SIC Epitaxy, el término "LPE" generalmente se refiere a la epitaxia de epitaxia de baja presión (LPE) en deposición de vapor químico de baja presión (LPCVD). En la fabricación de semiconductores, LPE es una tecnología de proceso importante para cultivar películas de un solo cristal, a menudo utilizado para cultivar capas epitaxiales de silicio u otras capas epitaxiales de semiconductores. No dude en contactarnos para obtener más preguntas.


Posicionamiento del producto y funciones centrales:

El protector de recubrimiento CVD SIC es un componente clave en el equipo epitaxial de carburo de silicio LPE, utilizado principalmente para proteger la estructura interna de la cámara de reacción y mejorar la estabilidad del proceso. Sus funciones principales incluyen:


Protección contra la corrosión: el recubrimiento de carburo de silicio formado por el proceso de depósito de vapor químico (CVD) puede resistir la corrosión química de la plasma de cloro/flúor y es adecuado para ambientes hostiles como equipos de grabado;

Manejo térmico: la alta conductividad térmica del material de carburo de silicio puede optimizar la uniformidad de temperatura en la cámara de reacción y mejorar la calidad de la capa epitaxial;

Reducción de la contaminación: como componente de revestimiento, puede evitar que los subproductos de reacción se pongan en contacto directamente con la cámara y extiendan el ciclo de mantenimiento del equipo.


Características técnicas y diseño:


Diseño estructural:

Generalmente dividido en partes de media luna superior e inferior, instaladas simétricamente alrededor de la bandeja para formar una estructura protectora en forma de anillo;

Cooperando con componentes como bandejas y cabezales de ducha de gas para optimizar la distribución del flujo de aire y los efectos de enfoque de plasma.

Proceso de recubrimiento:

El método CVD se utiliza para depositar recubrimientos SIC de alta pureza, con una uniformidad de espesor de película dentro de ± 5% y una rugosidad de la superficie tan baja como RA≤0.5 μm;

El grosor de recubrimiento típico es de 100-300 μm, y puede soportar un entorno de alta temperatura de 1600 ℃.


Escenarios de aplicación y ventajas de rendimiento:


Equipo aplicable:

Se utiliza principalmente para el horno epitaxial de carburo de silicio de 8 pulgadas de 8 pulgadas de LPE, que soporta el crecimiento de homoepitaxial SIC;

Adecuado para equipos de grabado, equipos MOCVD y otros escenarios que requieren alta resistencia a la corrosión.

Indicadores clave:

Coeficiente de expansión térmica: 4.5 × 10⁻⁶/K (coincidir con sustrato de grafito para reducir el estrés térmico);

Resistividad: 0.1-10Ω · cm (cumplir con los requisitos de conductividad);

Vida útil: 3-5 veces más larga que los materiales tradicionales de cuarzo/silicio.


Barreras técnicas y desafíos


Este producto necesita superar las dificultades del proceso, como el control de la uniformidad de recubrimiento (como la compensación de espesor de borde) y la optimización de enlace de la interfaz de recubrimiento de sustrato (≥30mPa), y al mismo tiempo debe coincidir con la rotación de alta velocidad (1000 rpm) y los requisitos de gradiente de temperatura del equipo LPE.





Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad 3.21 g/cm³
Dureza 2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano 2 ~ 10 mm
Pureza química 99.99995%
Capacidad de calor 640 j · kg-1· K-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W · m-1· K-1
Expansión térmica (CTE) 4.5 × 10-6K-1


Tiendas de producción:

VeTek Semiconductor Production Shop


Descripción general de la cadena industrial de la epitaxia de chip de semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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