Boquilla de recubrimiento CVD SiC

VeTek Semiconductor es un fabricante especializado de accesorios de recubrimiento CVD SiC para dispositivos epitaxiales como piezas de media luna con recubrimiento CVD SiC y sus boquillas de recubrimiento CVD SiC accesorias. Bienvenido a consultarnos.

PE1O8 es un sistema de cartuchos totalmente automáticos para cartuchos diseñado para manejarObleas de SiChasta 200 mm. El formato se puede cambiar entre 150 y 200 mm, minimizando el tiempo de inactividad de la herramienta. La reducción de las etapas de calentamiento aumenta la productividad, mientras que la automatización reduce la mano de obra y mejora la calidad y la repetibilidad. Para garantizar un proceso de epitaxia eficiente y competitivo, se informan tres factores principales: 

●  proceso rápido;

● Alta uniformidad de grosor y dopaje;

● Minimización de la formación de defectos durante el proceso de epitaxia. 

En el PE1O8, la pequeña masa de grafito y el sistema automático de carga/descarga permiten completar una ejecución estándar en menos de 75 minutos (la formulación estándar del diodo Schottky de 10 μm utiliza una tasa de crecimiento de 30 μm/h). Sistema automático que permite la carga/descarga a altas temperaturas. Como resultado, los tiempos de calentamiento y enfriamiento son cortos, mientras que se ha inhibido la etapa de horneado. Esta condición ideal permite el crecimiento de verdaderos materiales no dopados.

En el proceso de epitaxia de carburo de silicio, las boquillas de recubrimiento SIC CVD juegan un papel crucial en el crecimiento y la calidad de las capas epitaxiales. Aquí está la explicación ampliada del papel de las boquillas enepitaxia de carburo de silicio:

● Suministro y control de gas: Las boquillas se utilizan para suministrar la mezcla de gases requerida durante la epitaxia, incluido el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono. A través de las boquillas, el flujo y las proporciones del gas se pueden controlar con precisión para garantizar un crecimiento uniforme de la capa epitaxial y la composición química deseada.

● Control de temperatura: Las boquillas también ayudan a controlar la temperatura dentro del reactor de epitaxia. En la epitaxia de carburo de silicio, la temperatura es un factor crítico que afecta la tasa de crecimiento y la calidad del cristal. Al proporcionar gas de calor o enfriamiento a través de las boquillas, la temperatura de crecimiento de la capa epitaxial se puede ajustar para condiciones de crecimiento óptimas.

● Distribución del flujo de gas: El diseño de las boquillas influye en la distribución uniforme de gas dentro del reactor. La distribución uniforme del flujo de gas garantiza la uniformidad de la capa epitaxial y el grosor constante, evitando problemas relacionados con la calidad de la calidad del material.

● Prevención de la contaminación por impurezas: Proper design and use of nozzles can help prevent impurity contamination during the epitaxy process. El diseño de boquilla adecuado minimiza la probabilidad de impurezas externas que ingresen al reactor, asegurando la pureza y la calidad de la capa epitaxial.

Estructura cristalina de película de recubrimiento SIC CVD:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC: