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Falda recubierta de SIC CVD
  • Falda recubierta de SIC CVDFalda recubierta de SIC CVD

Falda recubierta de SIC CVD

Vetek Semiconductor es un fabricante líder y líder de la falda recubierta de CVD SIC en China. Nuestros principales productos de recubrimiento CVD SIC incluyen falda recubierta de SIC CVD, anillo de recubrimiento CVD SIC. Esperando su contacto.

Vetek Semiconductor es un fabricante profesional de faldones recubiertos de CVD SiC en China.

La tecnología de epitaxia ultravioleta profunda de Aixtron Equipe juega un papel crucial en la fabricación de semiconductores. Esta tecnología utiliza una fuente de luz ultravioleta profunda para depositar varios materiales en la superficie de la oblea a través del crecimiento epitaxial para lograr un control preciso del rendimiento y la función de la oblea. La tecnología de epitaxia ultravioleta profunda se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, que cubre la producción de varios dispositivos electrónicos desde LED hasta láseres de semiconductores.

En este proceso, la falda recubierta de CVD SiC juega un papel clave. Está diseñado para soportar la lámina epitaxial e impulsar la rotación de la lámina epitaxial para garantizar la uniformidad y la estabilidad durante el crecimiento epitaxial. Controlando con precisión la velocidad de rotación y la dirección del susceptor de grafito, se puede controlar con precisión el proceso de crecimiento del portador epitaxial.

El producto está fabricado con un revestimiento de grafito y carburo de silicio de alta calidad, lo que garantiza su excelente rendimiento y una larga vida útil. El material de grafito importado garantiza la estabilidad y confiabilidad del producto, para que pueda funcionar bien en una variedad de entornos de trabajo. En términos de recubrimiento, se utiliza un material de carburo de silicio de menos de 5 ppm para garantizar la uniformidad y estabilidad del recubrimiento. Al mismo tiempo, el nuevo proceso y el coeficiente de expansión térmica del material de grafito forman una buena combinación, mejoran la resistencia a altas temperaturas y al choque térmico del producto, de modo que aún puede mantener un rendimiento estable en ambientes de alta temperatura.


Propiedades físicas básicas de la falda recubierta de CVD SIC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad 3,21 g/cm³
Dureza 2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano 2 ~ 10 mm
Pureza química 99.99995%
Capacidad calorífica 640 j · kg-1·k-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W · m-1·k-1
Expansión térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Vetek Semiconductor CVD Sic Siced Skirt Shops:

VeTek Semiconductor CVD SiC Coated Skirt products shops


Descripción general de la cadena industrial de la epitaxia de chip de semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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