Anillo recubierto de TAC para el crecimiento de la TAC de Sic Single Crystal

En la actualidad, los dispositivos de potencia SIC se están volviendo cada vez más populares, por lo que la fabricación relacionada del dispositivo de semiconductores es más importante, y las propiedades de SIC deben mejorarse. SIC es el sustrato en semiconductor. Como materia prima indispensable para dispositivos SIC, cómo producir eficientemente el cristal SIC es uno de los temas importantes. En el proceso de cultivo de cristal SIC mediante el método de PVT (transporte físico de vapor), el anillo recubierto de TAC del semiconductor de Vetek para el crecimiento de PVT de cristal único SIC juega un papel indispensable e importante. Después de un cuidadoso diseño y fabricación, este anillo recubierto de TAC le proporciona un excelente rendimiento y confiabilidad, asegurando la eficiencia y la estabilidad delCrecimiento de cristal sicproceso.

El recubrimiento de carburo tantalum (TAC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 ° C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva para los procesos de epitaxia semiconductora compuesta con requisitos de temperatura más altos.

Anillo recubierto de TACCaracterísticas del producto

(I) vinculación de material de recubrimiento TAC de alta calidad con material de grafito

Anillo recubierto de TAC Para el crecimiento de PVT del cristal único SIC utilizando material de grafito SGL de alta calidad como sustrato, tiene una buena conductividad térmica y estabilidad de material extremadamente alta. El recubrimiento CVD TAC proporciona una superficie no porosa. Al mismo tiempo, se usa CVD TAC de alta pureza (carburo tantalum) como material de recubrimiento, que tiene una dureza extremadamente alta, punto de fusión y estabilidad química. El recubrimiento de TAC puede mantener un excelente rendimiento en la alta temperatura (generalmente hasta 2000 ℃ o más) y un entorno altamente corrosivo del crecimiento del cristal SIC mediante el método PVT, resistir efectivamente las reacciones químicas y la erosión física duranteCrecimiento sic, extiende enormemente la vida útil del anillo de recubrimiento y reduzca los costos de mantenimiento de equipos y el tiempo de inactividad.

10 µm 300 µm

Recubrimiento TACcon alta cristalinidad y excelente uniformidad

(Ii) proceso de recubrimiento preciso

La tecnología avanzada del proceso de recubrimiento CVD de Vetek Semiconductor asegura que el recubrimiento TAC esté cubierto de manera uniforme y densada en la superficie del anillo. El grosor de recubrimiento se puede controlar con precisión a ± 5um, asegurando la distribución uniforme del campo de temperatura y el campo de flujo de aire durante el proceso de crecimiento del cristal, que conduce al crecimiento de alta calidad y de gran tamaño de cristales SIC.

El grosor de recubrimiento general es de 35 ± 5um, también podemos personalizarlo de acuerdo con sus requisitos.

(Iii) Excelente estabilidad de alta temperatura y resistencia al choque térmico

En el entorno de alta temperatura del método PVT, el anillo recubierto de TAC para el crecimiento de PVT del cristal único SIC muestra una excelente estabilidad térmica.

Resistencia a H2, NH3, SIH4, SI

Ultra alta pureza para evitar la contaminación del proceso

Alta resistencia a los choques térmicos para ciclos de operación más rápidos

Puede soportar hornear a alta temperatura a largo plazo sin deformación, grietas o desprendimiento de recubrimiento. Durante el crecimiento de los cristales SIC, la temperatura cambia con frecuencia. El anillo recubierto de TAC del semiconductor de Vetek para el crecimiento de la PVT del cristal único SIC tiene una excelente resistencia a los choques térmicos y puede adaptarse rápidamente a cambios rápidos en la temperatura sin grietas ni daños. Mejorar aún más la eficiencia de producción y la calidad del producto.

Vetek Semiconductor es muy consciente de que diferentes clientes tienen diferentes equipos y procesos de crecimiento de cristal PVT SIC, por lo que proporciona servicios personalizados para el anillo recubierto de TAC para el crecimiento de PVT de cristal único SIC. Ya sea que se trate de las especificaciones de tamaño del cuerpo del anillo, el grosor de recubrimiento o los requisitos especiales de rendimiento, podemos adaptarlo de acuerdo con sus requisitos para garantizar que el producto coincida perfectamente con su equipo y proceso, proporcionándole la solución más optimizada.

Propiedades físicas del recubrimiento TAC

Es semiconductorAnillo recubierto de TAC tiendas de producción