Silicon Carbide Ceramic Cubreting Grafito Calentador

Es semiconductor Silicon Carbide Ceramic Cubreting Grafito CalentadorCombina la excelente conductividad eléctrica y térmica del grafito con la alta resistencia a la temperatura, la resistencia a la corrosión y la resistencia al desgaste del recubrimiento de cerámica de carbono de silicio, y está diseñado para entornos de fabricación de semiconductores duros. 

Silicon Carbide Ceramic Cubreting Grafito Calentadorse usa principalmente en equipos de recubrimiento de vacío (evaporación), y los métodos comúnmente utilizados son PCD (secado químico en plasma) y PVD (deposición de vapor físico). Este producto ha jugado un papel importante en la promoción del progreso tecnológico y la mejora de la eficiencia de producción en la industria de semiconductores.Esperamos sinceramente una mayor cooperación contigo.

Las características material y estructurales del calentador de grafito de recubrimiento de cerámica de carburo de silicio son las siguientes:

Sustrato de grafito: El grafito es conocido por su alta conductividad térmica y bajo coeficiente de expansión térmica. Puede responder rápidamente a los cambios de temperatura y mantener la estabilidad estructural a altas temperaturas.

Revestimiento de cerámica de carbono de silicio: El recubrimiento SIC está recubierto uniformemente en la superficie del grafito a través de la deposición de vapor químico u otros procesos avanzados. SIC tiene resistencia a la corrosión química extremadamente alta, lo que puede proteger el sustrato de grafito de la oxidación a alta temperatura y los entornos corrosivos.

El diseño estructural especial del producto de la capa de grafito de recubrimiento de cerámica de carburo de silicio determinaLas ventajas de productos insustituibles de este producto en el proceso de procesamiento de semiconductores:

Calentamiento eficiente y uniforme:

Conductividad térmica: La alta conductividad térmica del grafito permite que el calentador alcance rápidamente y mantenga la temperatura requerida, y el recubrimiento SIC garantiza una distribución uniforme de calor. Esto es especialmente importante para los procesos de semiconductores que requieren un control de temperatura preciso, como el procesamiento térmico rápido (RTP) y la deposición de vapor químico (CVD).

Uniformidad de temperatura: A través de una distribución de calor uniforme, el calentador de grafito de recubrimiento de cerámica de carburo de silicio puede reducir efectivamente el estrés térmico y el gradiente de temperatura, asegurando la consistencia y la estabilidad de calidad de las obleas de semiconductores durante todo el proceso de calentamiento.

Protección contra la corrosión:

Resistencia química: La resistencia a la corrosión química del recubrimiento SIC permite que el calentador funcione de manera estable y durante mucho tiempo en gas corrosivo y entornos químicos, evitando daños al sustrato de grafito. Esta característica es particularmente crítica en procesos como la deposición de vapor químico (CVD) y la deposición de vapor químico mejorado con plasma (PECVD).

Resistencia a la oxidación: A altas temperaturas, el recubrimiento SIC puede evitar la oxidación del sustrato de grafito, extender la vida útil del calentador y reducir la frecuencia y el costo del mantenimiento del equipo.

Reducir la contaminación de partículas:

Estabilidad de la superficie: El recubrimiento SIC no solo es resistente al desgaste, sino que también evita que las partículas caigan de la superficie del material debido al ciclo térmico o las reacciones químicas, lo que reduce el riesgo de contaminación de partículas que puede ocurrir durante la fabricación de semiconductores y garantizando un entorno de proceso de alta limpieza.

Mejorar la confiabilidad y la eficiencia del proceso:

Diseño de larga duración: Debido a la combinación de la resistencia mecánica del grafito y la resistencia al desgaste del recubrimiento SIC, el calentador de grafito de recubrimiento de cerámica de carburo de silicio puede mantener una operación de alta eficiencia durante mucho tiempo en condiciones de proceso duras, mejorando significativamente la confiabilidad general del equipo.

Utilización de energía eficiente: La alta conductividad térmica del grafito y la estabilidad de alta temperatura del recubrimiento SIC permiten al calentador reducir el consumo de energía al tiempo que mejora la precisión del control de la temperatura, mejorando así la eficiencia general de la producción de semiconductores.

Propiedades físicas básicas deSilicon Carbide Ceramic Cubreting Grafito Calentador:

Es semiconductorSilicon Carbide Ceramic Cubreting Grafito Calentadortiendas:

Descripción general de la cadena industrial de epitaxia de chip de semiconductores:

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