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Como fabricante chino líder de productos de carbono vidrioso, los crisoles de carbono vidriosos de Veteksemicon se utilizan ampliamente en el campo de fabricación de semiconductores debido a su excelente pureza ultra alta, porosidad cero, antipermeación y excelente resistencia a la corrosión química, y han ganado un alto elogio de los clientes europeos y estadounidenses. Bienvenido a su consulta.

Como fabricante chino líder y proveedor de productos de recubrimiento de carburo de silicio, el portador de obleas recubierto de SIC de Veteksemicon para el grabado juega un papel central irremplazable en el proceso de grabado con su excelente estabilidad de alta temperatura, resistencia a la corrosión sobresaliente y alta conductividad térmica.

El susceptor de obleas recubierto de CVD SIC de Veteksemicon es una solución de vanguardia para procesos epitaxiales semiconductores, que ofrece pureza ultra alta (≤100ppb, certificada ICP-E10) y una estabilidad térmica/química excepcional para el crecimiento resistente a la contaminación de las capas EPI basadas en EPI basadas en EPI. Diseñado con tecnología CVD de precisión, admite obleas de 6 "/8"/12 ", garantiza un estrés térmico mínimo y soporta temperaturas extremas de hasta 1600 ° C.

Nuestro susceptor planetario recubierto de SIC es un componente central en el proceso de alta temperatura de fabricación de semiconductores. Su diseño combina sustrato de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para lograr una optimización integral del rendimiento del manejo térmico, la estabilidad química y la resistencia mecánica.

Nuestras placas de cerámica SIC porosa son materiales cerámicos porosos hechos de carburo de silicio como componente principal y procesados ​​por procesos especiales. Son materiales indispensables en la fabricación de semiconductores, deposición de vapor químico (CVD) y otros procesos.

Nuestro anillo de sellado recubierto de SIC para la epitaxia es un componente de sellado de alto rendimiento basado en compuestos de grafito o carbono-carbono recubierto con carburo de silicio de alta pureza (sic) por depósito de vapor químico (CVD), que combina la estabilidad térmica de grafito con la resistencia ambiental extrema de SIC y está diseñada para el equipo epitaxial semiconductor (E.G.