Gan en el receptor EPI

Como profesionalfabricante de semiconductoresen China,Es semiconductor Gan en el receptor EPIes un componente clave en el proceso de preparación deGan en sicdispositivosy su rendimiento afecta directamente la calidad de la capa epitaxial. Con la aplicación generalizada de GaN en dispositivos SIC en Power Electronics, RF Devices y otros campos, los requisitos paraAsí el receptor EPIse volverá más y más alto. Nos centramos en proporcionar la mejor tecnología y las soluciones de productos para la industria de semiconductores, y acoge a dar la bienvenida a su consulta.

En general, los roles de GaN en SIC EPI susceptor en el procesamiento de semiconductores son los siguientes:

● Capacidad de procesamiento de alta temperatura: GaN en SIC EPI susceptor (GaN basado en el disco de crecimiento epitaxial de carburo de silicio) se usa principalmente en el proceso de crecimiento epitaxial de nitruro de galio (GaN), especialmente en entornos de alta temperatura. Este disco de crecimiento epitaxial puede soportar temperaturas de procesamiento extremadamente altas, generalmente entre 1000 ° C y 1500 ° C, lo que lo hace adecuado para el crecimiento epitaxial de los materiales GaN y el procesamiento de sustratos de carburo de silicio (SIC).

● Excelente conductividad térmica: El susceptor SIC EPI debe tener una buena conductividad térmica para transferir uniformemente el calor generado por la fuente de calentamiento al sustrato SIC para garantizar la uniformidad de la temperatura durante el proceso de crecimiento. El carburo de silicio tiene una conductividad térmica extremadamente alta (aproximadamente 120-150 w/mk), y GaN en el susceptor de epitaxia SIC puede realizar el calor de manera más efectiva que los materiales tradicionales como el silicio. Esta característica es crucial en el proceso de crecimiento epitaxial de nitruro de galio porque ayuda a mantener la uniformidad de temperatura del sustrato, mejorando así la calidad y consistencia de la película.

● Prevenir la contaminación: Los materiales y el proceso de tratamiento de superficie de GaN en el susceptor SIC EPI deben poder prevenir la contaminación del entorno de crecimiento y evitar la introducción de impurezas en la capa epitaxial.

Como fabricante profesional deGan en el receptor EPI, Grafito porosoyPlaca de recubrimiento TACEn China, Vetek Semiconductor siempre insiste en proporcionar servicios de productos personalizados, y se compromete a proporcionar a la industria las principales soluciones de tecnología y productos. Esperamos sinceramente su consulta y cooperación.

Estructura cristalina de película de recubrimiento SIC CVD

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD

Es semiconductor GaN en SIC EPI Production Shops