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Disco de cerámica de nitruro de aluminio
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Disco de cerámica de nitruro de aluminio

El disco de nitruro de aluminio semiconductor vetek es un material de alto rendimiento conocido por sus excelentes propiedades de alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico, especialmente adecuado para aplicaciones eléctricas exigentes. Los discos de cerámica de nitruro de aluminio son estables a altas temperaturas en una variedad de entornos inertes. Bienvenido a comunicarse con nosotros.

La placa de cerámica de nitruro de aluminio semiconductor vetek es un producto de cerámica aislante ideal con alta conductividad térmica, coeficiente de baja expansión, alta resistencia, resistencia a alta temperatura, resistencia a la corrosión química, alta resistividad y baja pérdida dieléctrica. La cerámica de nitruro de aluminio puede reemplazar la cerámica tóxica de óxido de berilio y se usan ampliamente en la industria electrónica.


Ventaja de rendimiento:

En comparación con la cerámica de alúmina, el nitruro de aluminio tiene una alta conductividad térmica, a 100 grados centígrados, la conductividad térmica está por encima de 170W/ m.K, y la conductividad térmica del óxido de aluminio es de aproximadamente 15-35 w/ (m · k), y el nitruro de aluminio es más de 5 veces que del óxido de aluminio.

La dureza del material de cerámica de nitruro de aluminio es generalmente de 9 Mohs Dureza, lo que significa que la dureza de la cerámica de nitruro de aluminio es muy alta, solo superada por el diamante, en el proceso de envasado de semiconductores, generalmente se usan tazas de nitruro de aluminio para el sustrato, placa de conductividad térmica y otra inestabilidad clave, para mejorar la buena conductividad thermal y la fuerza mecánica.

AlN disc-Semiconductor packaging substrateEl coeficiente de expansión lineal de este tipo de cerámica generalmente está en el rango de 4 a 5 × 10^-6/℃, lo que lo hace más coincidente con el coeficiente de expansión de los materiales metálicos, ayudando a reducir la generación de estrés y THEstrés érmico causado por cambios de temperatura.

Al mismo tiempo, la resistencia a la flexión de la cerámica de nitruro de aluminio suele ser entre 300 y 700 MPa, que es mayor que la de muchos otros materiales cerámicos, como circonio y alúmina.

En términos de temperatura, la cerámica de nitruro de aluminio puede funcionar de manera estable en un entorno de alta temperatura, y su temperatura de uso puede alcanzar más de 1500 ℃, que es adecuada para procesos y aplicaciones de alta temperatura.

Además de su resistencia a los gases inertes, el disco cerámico de nitruro de aluminio exhibe una excelente estabilidad química y alta resistencia a medios corrosivos como ácidos y álcalis, lo que los hace ampliamente utilizados en la industria química.

El disco cerámico de nitruro de aluminio tiene una alta resistividad, generalmente entre 10^14y 10^15Ω · cm, que es adecuado para ocasiones en que se requieren propiedades de aislamiento eléctrico. La cerámica de nitruro de aluminio tiene una pérdida dieléctrica muy baja, lo que significa que la pérdida de energía puede reducirse en aplicaciones dieléctricas.


Área de aplicación:

Embalaje de semiconductores: para módulos de potencia (como IGBT), portadores de chips de alta potencia, relés de estado sólido, etc., para proporcionar una gestión térmica eficiente 3410.

Sustrato electrónico: como una placa de circuito de película delgada/gruesa, admite mecanizado de alta precisión (por ejemplo, pulido a RA 0.3 μm de rugosidad de la superficie) 410.

Dispositivos de RF/microondas: características de baja pérdida dieléctrica (TanΔ ≤3 × 10⁻⁴, 1MHz) adecuadas para la placa de circuito de alta frecuencia 1018.

Otros escenarios industriales: como piezas de equipos de recubrimiento de vacío, HIG



Servicios de procesamiento y personalización

Mecanizado de precisión: corte de soporte, perforación, molienda, pulido (rugosidad de la superficie RA de hasta 0.3 μm) y estructura personalizada de forma especial 410.

Tratamiento de la superficie: el sustrato sinterizado se puede volver a procesar para mejorar la suavidad de la superficie (por ejemplo, de 30 microinch RA a 1 microinch RA) 4.




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