Centro de coleccionistas de recubrimiento SIC

Vetek Semiconductor Sic Coating Collector Center juega un papel importante en la producción del proceso EPI de semiconducores. Es uno de los componentes clave utilizados para la distribución y control de gas en una cámara de reacción epitaxial.Recubrimiento sicyRecubrimiento TACen nuestra fábrica.

El papel del Centro de coleccionistas de recubrimiento SIC es el siguiente:

● Distribución de gases: El Centro de colección de recubrimiento SIC se usa para introducir diferentes gases en la cámara de reacción epitaxial. Tiene múltiples entradas y puntos de venta que pueden distribuir diferentes gases a las ubicaciones deseadas para satisfacer las necesidades específicas de crecimiento epitaxial.

●  Gas control: SIC Coating Collector Center logra un control preciso de cada gas a través de válvulas y dispositivos de control de flujo. Este control preciso de gas es esencial para el éxito del proceso de crecimiento epitaxial para lograr la concentración de gas y la velocidad de flujo deseadas, asegurando la calidad y la consistencia de la película.

● Uniformidad: El diseño y el diseño del anillo de recolección de gas central ayuda a lograr una distribución uniforme de gas. A través de la ruta de flujo de gas razonable y el modo de distribución, el gas se mezcla uniformemente en la cámara de reacción epitaxial, a fin de lograr un crecimiento uniforme de la película.

En la fabricación de productos epitaxiales, SIC Coating Collector Center juega un papel clave en la calidad, el grosor y la uniformidad de la película. A través de la distribución y el control de gas adecuados, el Centro de recolector de recubrimiento SIC puede garantizar la estabilidad y consistencia delproceso de crecimiento epitaxial, para obtener películas epitaxiales de alta calidad.

En comparación con el centro de colección de grafito, el centro de colección recubierto de SIC es la conductividad térmica mejorada, la inercia química mejorada y la resistencia a la corrosión superior. El recubrimiento de carburo de silicio mejora significativamente la capacidad de gestión térmica del material de grafito, lo que lleva a una mejor uniformidad de temperatura y un crecimiento constante de la película en los procesos epitaxiales. Además, el recubrimiento proporciona una capa protectora que resiste la corrosión química, extendiendo la vida útil de los componentes de grafito. En general, elrecubierto de carburo de silicioEl material de grafito ofrece conductividad térmica superior, inercia química y resistencia a la corrosión, asegurando una mayor estabilidad y un crecimiento de la película de alta calidad en los procesos epitaxiales.

Estructura cristalina de película SIC CVD:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD

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