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Sic recubrimiento de recubrimiento inferior
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Sic recubrimiento de recubrimiento inferior

Con nuestra experiencia en fabricación de recubrimiento SIC CVD, Vetek Semiconductor presenta con orgullo la parte inferior del colector de recubrimiento AIXTRON SIC. Este fondo del colector de recubrimiento SIC se construye utilizando grafito de alta pureza y se recubren con SIC CVD, lo que garantiza la impureza por debajo de 5ppm. No dude en comunicarse con nosotros para obtener más información y consultas.

Vetek Semiconductor es el fabricante comprometido a proporcionar alta calidadRecubrimiento TAC CVDy CVD Sic Coating Collector Bottom y trabaja en estrecha colaboración con el equipo de Aixtron para satisfacer las necesidades de nuestros clientes. Ya sea en la optimización de procesos o el desarrollo de nuevos productos, estamos listos para brindarle soporte técnico y responder cualquier pregunta que pueda tener.

Función del núcleo del producto

Garantía de estabilidad del proceso

Control de gradiente de temperatura: ±1.5℃/cm@1200℃


Optimización del campo de flujo: el diseño especial del canal hace que la uniformidad de distribución de gas de reacción sea hasta 92.6%


Mecanismo de protección de equipos

Protección dual:


Túfer de choque térmico: resistir 10 ℃/s cambio de temperatura rápida


Intercepción de partículas: captura> 0.3 μm de partículas de sedimento


En el campo de la tecnología de vanguardia

Dirección de aplicación
Parámetros de proceso específicos
Valor del cliente
IGBT de grado
10^17/cm³ uniformidad de dopaje  El rendimiento aumentó en un 8-12%
Dispositivo 5G RF
Aspereza de la superficie <0.15 nm ra
La movilidad del portador aumentó en un 15%
Equipo PV HJT  Prueba de envejecimiento anti-PID> 3000 ciclos
Ciclo de mantenimiento del equipo extendido a 9000 horas

Control de calidad de proceso completo

Sistema de trazabilidad de producción

Fuente de materias primas: grafito Tokai/Toyo de Japón, grafito SGL de Alemania

Monitoreo gemelo digital: cada componente coincide con una base de datos de parámetros de proceso independiente


Escenario de aplicación:

Fabricación de semiconductores de tercera generación

Escenario: crecimiento epitaxial SIC de 6 pulgadas (control de espesor de 100-150 μm)

Modelo compatible: Aixtron G5 WW/Crius II




Mediante el uso de Aixtron Sic recopilado Collector Top, Collector Center y Collector recubierto de SIC, se puede lograr el manejo térmico y la protección química en los procesos de fabricación de semiconductores, se puede optimizar el entorno de crecimiento de la película y se puede mejorar la calidad y consistencia de la película. La combinación de estos componentes en el equipo Aixtron garantiza condiciones de proceso estables y una producción eficiente de semiconductores.




Datos SEM de CVD SIC Film

SEM DATA OF CVD SIC FILM


Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad 3.21 g/cm³
Dureza 2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano 2 ~ 10 mm
Pureza química 99.99995%
Capacidad de calor 640 j · kg-1· K-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W · m-1· K-1
Expansión térmica (CTE) 4.5 × 10-6K-1


Descripción general del semiconductor Cadena de la industria de la epitaxia de chips

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Es semiconductorSic recubrimiento de recubrimiento inferiorTienda de producción

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