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Los principales métodos para el cultivo de cristales de un solo SIC son: transporte de vapor físico (PVT), deposición de vapor químico de alta temperatura (HTCVD) y crecimiento de la solución de alta temperatura (HTSG).

Con el desarrollo de la industria solar fotovoltaica, los hornos de difusión y los hornos LPCVD son el equipo principal para la producción de células solares, que afectan directamente el rendimiento eficiente de las células solares. Según el rendimiento integral del producto y el costo de uso, los materiales cerámicos de carburo de silicio tienen más ventajas en el campo de las células solares que los materiales de cuarzo. La aplicación de materiales cerámicos de carburo de silicio en la industria fotovoltaica puede ayudar enormemente a las empresas fotovoltaicas a reducir los costos de inversión de materiales auxiliares, mejorar la calidad y la competitividad del producto. La tendencia futura de los materiales cerámicos de carburo de silicio en el campo fotovoltaico es principalmente hacia una mayor pureza, una capacidad de carga más fuerte, una mayor capacidad de carga y un costo más bajo.

El artículo analiza los desafíos específicos que enfrenta el proceso de recubrimiento CVD TaC para el crecimiento de monocristales de SiC durante el procesamiento de semiconductores, como el control de pureza y fuente de material, la optimización de los parámetros del proceso, la adhesión del recubrimiento, el mantenimiento de equipos y la estabilidad del proceso, la protección ambiental y el control de costos, como así como las correspondientes soluciones industriales.

Desde la perspectiva de la aplicación del crecimiento de un solo cristal de SIC, este artículo compara los parámetros físicos básicos del recubrimiento de TAC y el recubrimiento SIC, y explica las ventajas básicas del recubrimiento de TAC sobre el recubrimiento SIC en términos de alta resistencia a la temperatura, fuerte estabilidad química, impurezas reducidas y y reducidas costos más bajos.