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En la fabricación de chips moderna, el sustrato proporciona soporte físico y una ruta de disipación de calor, mientras que la capa epitaxial determina los límites de rendimiento eléctrico del dispositivo. Este artículo proporciona un análisis en profundidad de las diferencias fundamentales entre los sustratos de silicio monocristalino y de carburo de silicio y los procesos epitaxiales CVD/MBE, y revela cómo la tecnología epitaxial mejora el rendimiento de los dispositivos de alta frecuencia y alto voltaje al reducir la densidad de defectos e incorporar ingeniería de deformación. Ya sea ingeniero de procesos o responsable de la toma de decisiones en materia de adquisiciones, esta guía le ayudará a identificar rápidamente la estrategia de selección de obleas más adecuada.

Análisis en profundidad de las causas del amarillamiento y descamación de los bordes del recubrimiento de carburo de silicio en susceptores de grafito epitaxia MOCVD. VeTek eliminó el microestrés al controlar con precisión la tasa de deposición inicial de CVD y el campo de flujo, aumentando el rendimiento del recubrimiento del 50% al 90% y extendiendo la vida útil de las piezas de grafito de alta pureza.

Al abordar la variación del espesor de bolsillo a bolsillo del 1,4 % en susceptores de grafito epitaxia de silicio de múltiples bolsillos, VeTek Semi mejoró la planitud del susceptor a <0,08 mm y redujo la variación al 0,69 % mediante simulación de campo de flujo CVD y recubrimiento de SiC de ultraprecisión, lo que aumentó el rendimiento de la oblea.