Tecnología MOCVD

El susceptor epitaxial GaN basado en silicio es el componente central requerido para la producción epitaxial GaN. El susceptor epitaxial GaN basado en silicio de Veteksemicon está especialmente diseñado para el sistema de reactores epitaxiales GaN basado en silicio, con ventajas como alta pureza, excelente resistencia a alta temperatura y resistencia a la corrosión. Dé la bienvenida a su consulta adicional.