Tecnología MOCVD

El susceptor MOCVD recubierto de SIC de Veteksemicon es un dispositivo con excelente proceso, durabilidad y confiabilidad. Pueden soportar ambientes químicos y de alta temperatura, mantener un rendimiento estable y una larga vida útil, reduciendo así la frecuencia de reemplazo y mantenimiento y mejorando la eficiencia de producción. Nuestro susceptor epitaxial MOCVD es reconocido por su alta densidad, excelente planitud y excelente control térmico, lo que lo convierte en el equipo preferido en entornos de fabricación hostiles. Espero cooperar con usted.

El susceptor epitaxial de GaN a base de silicio es el componente central necesario para la producción epitaxial de GaN. El susceptor epitaxial de GaN a base de silicio Veteksemicon está especialmente diseñado para el sistema de reactor epitaxial de GaN a base de silicio, con ventajas como alta pureza, excelente resistencia a altas temperaturas y resistencia a la corrosión. Bienvenido a su consulta adicional.