Anillo de enfoque para grabar

Los anillos de grabado de silicio monocristalino son componentes esenciales en los procesos de grabado de semiconductores al mantener la estabilidad del entorno de plasma, proteger equipos y obleas, optimizar la utilización de recursos y la adaptación a los requisitos avanzados del proceso. Su rendimiento afecta directamente el rendimiento y el costo de la fabricación de chips.

El anillo de enfoque grabado, el electrodo y etc. (controlador de temperatura de borde) son los consumibles centrales para garantizar la uniformidad de plasma, el control de la temperatura y la repetibilidad del proceso. Estos componentes se ensamblan con precisión en la cámara de vacío de los equipos de ECV, grabado y película y determinan directamente la precisión y rendimiento del grabado de borde a centro de la oblea.

En respuesta a la estricta demanda de propiedades de materiales en procesos de fabricación de alta gama, Veteksemi innova mediante el uso de silicio monocristalino de alta pureza con una resistividad de 10-20Ω · cm para fabricar anillos de enfoque y consumibles compatibles. A través de la optimización colaborativa de la ciencia de los materiales, el diseño eléctrico y la termodinámica, Veteksemi puede fabricar anillos de enfoque y consumo de soporte. Superar exhaustivamente las soluciones tradicionales de cuarzo para lograr mejoras innovadoras en la longevidad, precisión y rentabilidad.

Comparación de material central y optimización de resistividad

Silicón monocristalino vs. Cuarzo

Producto Core Advantage

1. Precisión del proceso de nivel atómico

Optimización de resistividad + pulido ultra precisión (RA <0.1 μm) elimina la micro-descarga y la contaminación de partículas para cumplir con los estándares semi F47.

La pérdida dieléctrica (TanΔ <0.001) se combina altamente con el entorno dieléctrico de la oblea, evitando la distorsión del campo eléctrico de borde y el soporte de NAND 3D 89.5 ° ± 0.3 ° Grabado de agujeros profundos verticales.

2. Compatibilidad del sistema inteligente

Integrado con el módulo de control de temperatura del borde ETC, el flujo de aire de enfriamiento se ajusta dinámicamente por el algoritmo de termopar y AI para compensar la deriva térmica de la cámara.

Admite una red de coincidencia de RF personalizada, adecuada para máquinas convencionales como Amat Centura, Lam Research Kiyo y las fuentes de plasma ICP/CCP.

3. Centectividad integral

La vida del silicio monocristalino es 275% más larga que la del cuarzo, el ciclo de mantenimiento es de más de 3.000 horas y el costo integral de propiedad (TCO) se reduce en un 30%.

Servicio de personalización de gradiente de resistividad (5-100Ω · cm), que coincide precisamente con la ventana del proceso del cliente (como el grabado de material de brecha de banda ancha GAN/SIC).

El efecto de la resistividad

Términos comerciales de productos

Cantidad mínima de pedido	1 set
Precio	Contacto para cotización personalizada
Detalles del embalaje	Paquete de exportación estándar
El tiempo de entrega	Tiempo de entrega: 30-35 días después de la confirmación del pedido
Términos de pago	T/T
Capacidad de suministro	600 sets/mes