Susceptor RTP recubierto de SiC CVD

Características

• Uniformidad térmica: la alta difusividad térmica del material permite una transferencia de calor rápida y espacialmente uniforme, lo que admite perfiles de temperatura de oblea repetibles.
• Alto nivel de pureza: el recubrimiento CVD SiC logra una pureza del 99,99995 %, lo que reduce eficazmente los riesgos de contaminación por metales y iones móviles en pasos críticos del proceso.
• Durabilidad química: el recubrimiento exhibe una fuerte resistencia a especies corrosivas, incluidos gases a base de halógeno, bajo temperaturas elevadas. Intervalos de servicio extendidos: la mayor resistencia a la oxidación y al desgaste se traduce en menos reemplazos y menor tiempo de inactividad de la herramienta.
• Flexibilidad de diseño: las dimensiones y configuraciones se pueden adaptar para adaptarse a geometrías de cámara RTP y tamaños de obleas específicos.

Aplicaciones

• Procesamiento térmico rápido (RTP)
• Recocido térmico rápido (RTA)
• Pasos de oxidación y recocido de activación dopante.
• Fabricación de circuitos integrados (CI)
• Fabricación de dispositivos de potenciaTécnico

Presupuesto

¿Por qué elegir VeTek Semiconductor?

· Proceso interno de recubrimiento CVD SiC desarrollado específicamente para requisitos de grado semiconductor.

· Capacidades integradas para purificación de grafito, mecanizado de precisión y control del espesor del recubrimiento.

· Adhesión de recubrimiento comprobada y uniformidad de capa en toda la producción por lotes.

· Soporte de ingeniería para diseños de susceptores personalizados compatibles con las principales plataformas de herramientas RTP.

· La rigurosa inspección del material entrante, el monitoreo durante el proceso y las pruebas de calificación finales garantizan la coherencia entre lotes.