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La principal diferencia entre la epitaxia y la deposición de la capa atómica (ALD) radica en los mecanismos de crecimiento de la película y las condiciones de funcionamiento. La epitaxia se refiere al proceso de cultivo de una película delgada cristalina en un sustrato cristalino con una relación de orientación específica, manteniendo la misma estructura cristalina o similar. En contraste, ALD es una técnica de deposición que implica exponer un sustrato a diferentes precursores químicos en secuencia para formar una película delgada una capa atómica a la vez.

El recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero en un sustrato (grafito). Este método implica depositar TAC en la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que resulta en un recubrimiento de carburo tantálico (TAC) con excelente estabilidad térmica y resistencia química.

A medida que el proceso de carburo de silicio de 8 pulgadas (SIC) madura, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, en Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SIC de 8 pulgadas.

Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.

Con la creciente demanda de materiales SIC en la electrónica de potencia, la optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristal único SIC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como el núcleo del equipo de crecimiento de un solo cristal de SIC, el diseño de campo térmico continuará recibiendo una amplia atención e investigación en profundidad.

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.