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Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.

Con la creciente demanda de materiales SIC en la electrónica de potencia, la optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristal único SIC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como el núcleo del equipo de crecimiento de un solo cristal de SIC, el diseño de campo térmico continuará recibiendo una amplia atención e investigación en profundidad.

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.

ALD espacial, deposición de capa atómica espacialmente aislada. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre ALD tradicional y ALD espacialmente aislado.

Recientemente, el Instituto de Investigación Alemán Fraunhofer IISB ha hecho un gran avance en la investigación y desarrollo de la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum, y ha desarrollado una solución de recubrimiento por pulverización que es más flexible y amigable con el medio ambiente que la solución de deposición de CVD, y se ha comercializado.

En una era de desarrollo tecnológico rápido, la impresión 3D, como un representante importante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la cara de la fabricación tradicional. Con el vencimiento continuo de la tecnología y la reducción de los costos, la tecnología de impresión 3D ha mostrado amplias perspectivas de aplicaciones en muchos campos, como aeroespacial, fabricación de automóviles, equipos médicos y diseño arquitectónico, y ha promovido la innovación y el desarrollo de estas industrias.