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El artículo analiza las propiedades materiales de obleas de sustrato semiconductor como silicio, GaAs, SiC y GaN.

Este artículo describe principalmente la tecnología epitaxial de baja temperatura basada en GaN, incluida la estructura cristalina de los materiales basados ​​en GaN, 3. Requisitos de tecnología epitaxial y soluciones de implementación, las ventajas de la tecnología epitaxial de baja temperatura basadas en principios de PVD y las perspectivas de desarrollo de la tecnología epitaxial de baja temperatura.

Este artículo introduce primero la estructura molecular y las propiedades físicas de TAC, y se centra en las diferencias y aplicaciones del carburo tantalum sinterizado y el carburo de tantalum CVD, así como los productos de recubrimiento TAC de TAC de Vetek Semiconductor.

Este artículo introduce las características del producto del recubrimiento CVD TAC, el proceso de preparación del recubrimiento CVD TAC utilizando el método CVD y el método básico para la detección de la morfología de la superficie del recubrimiento CVD TAC preparado.