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En la industria de fabricación de semiconductores, a medida que el tamaño del dispositivo continúa reduciéndose, la tecnología de deposición de los materiales de película delgada ha planteado desafíos sin precedentes. La deposición de la capa atómica (ALD), como una tecnología de deposición de película delgada que puede lograr un control preciso a nivel atómico, se ha convertido en una parte indispensable de la fabricación de semiconductores. Este artículo tiene como objetivo introducir el flujo del proceso y los principios de ALD para ayudar a comprender su importante papel en la fabricación avanzada de chips.

Es ideal para construir circuitos integrados o dispositivos semiconductores en una capa base cristalina perfecta. El proceso de epitaxia (EPI) en la fabricación de semiconductores tiene como objetivo depositar una capa fina única cristalina, generalmente aproximadamente 0.5 a 20 micras, en un sustrato de cristal solo. El proceso de epitaxia es un paso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores, especialmente en la fabricación de obleas de silicio.

La principal diferencia entre la epitaxia y la deposición de la capa atómica (ALD) radica en los mecanismos de crecimiento de la película y las condiciones de funcionamiento. La epitaxia se refiere al proceso de cultivo de una película delgada cristalina en un sustrato cristalino con una relación de orientación específica, manteniendo la misma estructura cristalina o similar. En contraste, ALD es una técnica de deposición que implica exponer un sustrato a diferentes precursores químicos en secuencia para formar una película delgada una capa atómica a la vez.

El recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero en un sustrato (grafito). Este método implica depositar TAC en la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que resulta en un recubrimiento de carburo tantálico (TAC) con excelente estabilidad térmica y resistencia química.

A medida que el proceso de carburo de silicio de 8 pulgadas (SIC) madura, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, en Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SIC de 8 pulgadas.

Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.