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¿Cuál es el gradiente de temperatura del campo térmico de un solo horno de cristal?09 2024-09

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El artículo explica el gradiente de temperatura en un horno de cristal único. Cubre los campos de calor estáticos y dinámicos durante el crecimiento del cristal, la interfaz sólida-líquido y el papel del gradiente de temperatura en la solidificación.
¿Qué tan delgado puede el proceso Taiko hacer obleas de silicio?04 2024-09

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El proceso Taiko Thins Silicon Wafers utilizando sus principios, ventajas técnicas y orígenes del proceso.
Sic epitaxial horno e investigación de procesos homoepitaxiales de 8 pulgadas29 2024-08

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Oblea de sustrato semiconductor: propiedades materiales del silicio, GaAs, SiC y GaN28 2024-08

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El artículo analiza las propiedades materiales de obleas de sustrato semiconductor como silicio, GaAs, SiC y GaN.
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