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Este artículo describe que el sustrato LED es la mayor aplicación de zafiro, así como los principales métodos de preparación de cristales de zafiro: crecientes cristales de zafiro por el método Czochralski, los cristales de zafiro crecientes por el método Kyropoulos, los cristales de zafiro cultivados por el método de molde guiado y el cultivo de cristales de zafiro mediante el método de intercambio de calor.

El artículo explica el gradiente de temperatura en un horno de cristal único. Cubre los campos de calor estáticos y dinámicos durante el crecimiento del cristal, la interfaz sólida-líquido y el papel del gradiente de temperatura en la solidificación.

El proceso Taiko Thins Silicon Wafers utilizando sus principios, ventajas técnicas y orígenes del proceso.

Sic epitaxial horno e investigación de procesos homoepitaxiales de 8 pulgadas

El artículo analiza las propiedades materiales de obleas de sustrato semiconductor como silicio, GaAs, SiC y GaN.

Este artículo describe principalmente la tecnología epitaxial de baja temperatura basada en GaN, incluida la estructura cristalina de los materiales basados ​​en GaN, 3. Requisitos de tecnología epitaxial y soluciones de implementación, las ventajas de la tecnología epitaxial de baja temperatura basadas en principios de PVD y las perspectivas de desarrollo de la tecnología epitaxial de baja temperatura.