Noticias

La sinterización de presión en caliente es el método principal para preparar la cerámica SIC de alto rendimiento. El proceso de sinterización de presión en caliente incluye: seleccionar polvo SIC de alta pureza, prensado y moldeo a alta temperatura y alta presión, y luego sinterización. La cerámica SIC preparada por este método tiene las ventajas de alta pureza y alta densidad, y se usan ampliamente en los discos de molienda y equipos de tratamiento térmico para el procesamiento de obleas.

Los métodos de crecimiento clave del carburo de silicio (SiC) incluyen PVT, TSSG y HTCVD, cada uno con distintas ventajas y desafíos. Los materiales de campo térmico a base de carbono, como sistemas de aislamiento, crisoles, revestimientos de TaC y grafito poroso, mejoran el crecimiento de los cristales al proporcionar estabilidad, conductividad térmica y pureza, esenciales para la fabricación y aplicación precisas del SiC.

El SiC tiene alta dureza, conductividad térmica y resistencia a la corrosión, lo que lo hace ideal para la fabricación de semiconductores. El recubrimiento CVD SiC se crea mediante deposición química de vapor, lo que proporciona una alta conductividad térmica, estabilidad química y una constante de red correspondiente para el crecimiento epitaxial. Su baja expansión térmica y alta dureza garantizan durabilidad y precisión, lo que lo hace esencial en aplicaciones como portadores de obleas, anillos de precalentamiento y más. VeTek Semiconductor se especializa en recubrimientos de SiC personalizados para diversas necesidades de la industria.

El carburo de silicio (SIC) es un material semiconductor de alta precisión conocido por sus excelentes propiedades como alta resistencia a la temperatura, resistencia a la corrosión y alta resistencia mecánica. Tiene más de 200 estructuras de cristal, siendo 3C-SIC el único tipo cúbico, que ofrece una esfericidad y densificación natural superiores en comparación con otros tipos. 3C-SIC se destaca por su alta movilidad de electrones, lo que lo hace ideal para MOSFET en Power Electronics. Además, muestra un gran potencial en nanoelectrónica, LED azules y sensores.

El diamante, un posible "semiconductor definitivo" de cuarta generación, está ganando atención en los sustratos semiconductores debido a su excepcional dureza, conductividad térmica y propiedades eléctricas. Si bien su alto costo y sus desafíos de producción limitan su uso, la CVD es el método preferido. A pesar del dopaje y los desafíos relacionados con los cristales de gran superficie, el diamante es prometedor.

SIC y GaN son semiconductores de banda ancha con ventajas sobre el silicio, como voltajes de descomposición más altos, velocidades de conmutación más rápidas y eficiencia superior. SIC es mejor para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia debido a su mayor conductividad térmica, mientras que GaN se destaca en aplicaciones de alta frecuencia gracias a su movilidad de electrones superior.