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El recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero en un sustrato (grafito). Este método implica depositar TAC en la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que resulta en un recubrimiento de carburo tantálico (TAC) con excelente estabilidad térmica y resistencia química.

A medida que el proceso de carburo de silicio de 8 pulgadas (SIC) madura, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, en Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SIC de 8 pulgadas.

Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.

Con la creciente demanda de materiales SIC en la electrónica de potencia, la optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristal único SIC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como el núcleo del equipo de crecimiento de un solo cristal de SIC, el diseño de campo térmico continuará recibiendo una amplia atención e investigación en profundidad.

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.

ALD espacial, deposición de capa atómica espacialmente aislada. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre ALD tradicional y ALD espacialmente aislado.

Recientemente, el Instituto de Investigación Alemán Fraunhofer IISB ha hecho un gran avance en la investigación y desarrollo de la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum, y ha desarrollado una solución de recubrimiento por pulverización que es más flexible y amigable con el medio ambiente que la solución de deposición de CVD, y se ha comercializado.

En una era de desarrollo tecnológico rápido, la impresión 3D, como un representante importante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la cara de la fabricación tradicional. Con el vencimiento continuo de la tecnología y la reducción de los costos, la tecnología de impresión 3D ha mostrado amplias perspectivas de aplicaciones en muchos campos, como aeroespacial, fabricación de automóviles, equipos médicos y diseño arquitectónico, y ha promovido la innovación y el desarrollo de estas industrias.

Los materiales monocristalinos por sí solos no pueden satisfacer las necesidades de la creciente producción de diversos dispositivos semiconductores. A finales de 1959, se desarrolló una tecnología de crecimiento de material monocristalino de capa fina: el crecimiento epitaxial.

El carburo de silicio es uno de los materiales ideales para hacer dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. Para mejorar la eficiencia de producción y reducir los costos, la preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño es una dirección de desarrollo importante.

Según Overseas News, dos fuentes revelaron el 24 de junio que el bytedance está trabajando con la compañía de diseño de chips de EE. UU. Broadcom para desarrollar un procesador de computación de inteligencia artificial (IA) avanzada, que ayudará a los bytedance garantizar un suministro adecuado de chips de alta gama en medio de tensiones entre China y los Estados Unidos.

Como fabricante líder en la industria del SiC, las dinámicas relacionadas de Sanan Optoelectronics han recibido amplia atención en la industria. Recientemente, Sanan Optoelectronics reveló una serie de últimos desarrollos que involucran la transformación de 8 pulgadas, la producción de nuevas fábricas de sustratos, el establecimiento de nuevas empresas, subsidios gubernamentales y otros aspectos.

En el crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes cruciales como el crisol, el soporte de semillas y el anillo guía desempeñan un papel vital. Como se muestra en la Figura 2 [1], durante el proceso PVT, el cristal semilla se coloca en la región de temperatura más baja, mientras que la materia prima de SiC se expone a temperaturas más altas (por encima de 2400 ℃).

Los sustratos de carburo de silicio tienen muchos defectos y no se pueden procesar directamente. Se debe cultivar una película delgada de un solo cristal específica en ellas a través de un proceso epitaxial para hacer obleas de chips. Esta película delgada es la capa epitaxial. Casi todos los dispositivos de carburo de silicio se realizan en materiales epitaxiales. Los materiales epitaxiales homogéneos de carburo de silicio de alta calidad son la base para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. El rendimiento de los materiales epitaxiales determina directamente la realización del rendimiento de los dispositivos de carburo de silicio.

El carburo de silicio está remodelando la industria de semiconductores para aplicaciones de energía y alta temperatura, con sus propiedades integrales, desde sustratos epitaxiales hasta recubrimientos protectores y vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Alta pureza: la capa epitaxial de silicio cultivada mediante deposición química de vapor (CVD) tiene una pureza extremadamente alta, una mejor planitud de la superficie y una menor densidad de defectos que las obleas tradicionales.