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La deposición de vapor químico (CVD) en la fabricación de semiconductores se utiliza para depositar materiales de películas delgadas en la cámara, incluidos SiO2, Sin, etc., y los tipos de uso común incluyen PECVD y LPCVD. Al ajustar el tipo de gas de temperatura, presión y reacción, CVD logra alta pureza, uniformidad y una buena cobertura de películas para cumplir con diferentes requisitos de proceso.

Este artículo describe principalmente las amplias perspectivas de aplicación de las cerámicas de carburo de silicio. También se centra en el análisis de las causas de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio y las soluciones correspondientes.

La tecnología de grabado en la fabricación de semiconductores a menudo encuentra problemas como el efecto de carga, el efecto de microranura y el efecto de carga, que afectan la calidad del producto. Las soluciones de mejora incluyen optimizar la densidad del plasma, ajustar la composición del gas de reacción, mejorar la eficiencia del sistema de vacío, diseñar un diseño de litografía razonable y seleccionar materiales de máscara de grabado y condiciones de proceso adecuados.