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Este artículo describe principalmente las amplias perspectivas de aplicación de las cerámicas de carburo de silicio. También se centra en el análisis de las causas de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio y las soluciones correspondientes.

La tecnología de grabado en la fabricación de semiconductores a menudo encuentra problemas como el efecto de carga, el efecto de microranura y el efecto de carga, que afectan la calidad del producto. Las soluciones de mejora incluyen optimizar la densidad del plasma, ajustar la composición del gas de reacción, mejorar la eficiencia del sistema de vacío, diseñar un diseño de litografía razonable y seleccionar materiales de máscara de grabado y condiciones de proceso adecuados.

La sinterización de presión en caliente es el método principal para preparar la cerámica SIC de alto rendimiento. El proceso de sinterización de presión en caliente incluye: seleccionar polvo SIC de alta pureza, prensado y moldeo a alta temperatura y alta presión, y luego sinterización. La cerámica SIC preparada por este método tiene las ventajas de alta pureza y alta densidad, y se usan ampliamente en los discos de molienda y equipos de tratamiento térmico para el procesamiento de obleas.