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En el crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes cruciales como el crisol, el soporte de semillas y el anillo guía desempeñan un papel vital. Como se muestra en la Figura 2 [1], durante el proceso PVT, el cristal semilla se coloca en la región de temperatura más baja, mientras que la materia prima de SiC se expone a temperaturas más altas (por encima de 2400 ℃).

Los sustratos de carburo de silicio tienen muchos defectos y no se pueden procesar directamente. Se debe cultivar una película delgada de un solo cristal específica en ellas a través de un proceso epitaxial para hacer obleas de chips. Esta película delgada es la capa epitaxial. Casi todos los dispositivos de carburo de silicio se realizan en materiales epitaxiales. Los materiales epitaxiales homogéneos de carburo de silicio de alta calidad son la base para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. El rendimiento de los materiales epitaxiales determina directamente la realización del rendimiento de los dispositivos de carburo de silicio.

El carburo de silicio está remodelando la industria de semiconductores para aplicaciones de energía y alta temperatura, con sus propiedades integrales, desde sustratos epitaxiales hasta recubrimientos protectores y vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Alta pureza: la capa epitaxial de silicio cultivada por la deposición química del vapor (CVD) tiene una pureza extremadamente alta, una mejor planitud de la superficie y una menor densidad de defectos que las obleas tradicionales.