4H Substrato semi aislante SIC

SIC Wafer juega múltiples roles clave en el proceso de procesamiento de semiconductores. Combinado con su alta resistividad, alta conductividad térmica, banda ancha y otras propiedades, se usa ampliamente en campos de alta frecuencia, alta potencia y alta temperatura, especialmente en aplicaciones de microondas y RF. Es un producto componente indispensable en el proceso de fabricación de semiconductores.

Ventaja principal

1. Excelentes propiedades eléctricas

Campo eléctrico de ruptura crítica alta (aproximadamente 3 mV/cm): aproximadamente 10 veces más alto que el silicio, puede soportar un mayor voltaje y un diseño de capa de deriva más delgado, reduciendo significativamente la resistencia, adecuada para dispositivos de alta potencia de voltaje.

Propiedades semi-insulantes: alta resistividad (> 10^5 Ω · cm) a través del dopaje de vanadio o la compensación de defectos intrínsecos, adecuado para dispositivos RF de alta frecuencia y baja pérdida (como HEMT), reduciendo los efectos de la capacitancia parásita.

2. Estabilidad térmica y química

Alta conductividad térmica (4.9W /cm · K): excelente rendimiento de disipación de calor, respalda el trabajo de alta temperatura (la temperatura de trabajo teórica puede alcanzar 200 ℃ o más), reducir los requisitos de disipación de calor del sistema.

Inertidad química: inerte a la mayoría de los ácidos y álcalis, fuerte resistencia a la corrosión, adecuada para un entorno duro.

3. Estructura del material y calidad de cristal

Estructura policípica de 4H: la estructura hexagonal proporciona una mayor movilidad electrónica (por ejemplo, movilidad de electrones longitudinales de aproximadamente 1140 cm²/v · s), que es superior a otras estructuras policípicas (por ejemplo, 6H-SIC) y es adecuada para dispositivos de alta frecuencia.

Crecimiento epitaxial de alta calidad: se pueden lograr películas epitaxiales heterogéneas de baja densidad de defectos (como capas epitaxiales en sustratos compuestos ALN/SI) a través de la tecnología CVD (deposición de vapor químico), mejorando la confiabilidad del dispositivo.

4. Compatibilidad del proceso

Compatible con el proceso de silicio: la capa de aislamiento SiO₂ se puede formar a través de la oxidación térmica, que es fácil de integrar dispositivos de proceso basados ​​en silicio como MOSFET.

Optimización de contacto Ohmic: el uso de un proceso de aleación de metal multicapa (como Ni/Ti/Pt), reduzca la resistencia de contacto (como la resistencia de contacto de la estructura Ni/Si/Al tan baja como 1.3 × 10^-4 Ω · cm), mejore el rendimiento del dispositivo.

5. Escenarios de aplicación

Electrónica de potencia: se utiliza para fabricar diodos Schottky de alto voltaje (SBD), módulos IGBT, etc., admitiendo altas frecuencias de conmutación y baja pérdida.

Dispositivos de RF: adecuado para estaciones base de comunicación 5G, radar y otros escenarios de alta frecuencia, como dispositivos Algan/GaN HEMT.

Vetek Semiconductor persigue constantemente una calidad de cristal más alta y una calidad de procesamiento para satisfacer las necesidades del cliente.De 4 pulgadasyDe 6 pulgadasLos productos están disponibles yDe 8 pulgadasLos productos están en desarrollo. 

Semi-aislante de sustrato SIC Especificaciones básicas del producto:

Especificaciones de calidad de cristal de sustrato SIC de sustrato semi-insulante:

4H Método de detección de sustrato semi aislante de tipo SIC y terminología: