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En una era de desarrollo tecnológico rápido, la impresión 3D, como un representante importante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la cara de la fabricación tradicional. Con el vencimiento continuo de la tecnología y la reducción de los costos, la tecnología de impresión 3D ha mostrado amplias perspectivas de aplicaciones en muchos campos, como aeroespacial, fabricación de automóviles, equipos médicos y diseño arquitectónico, y ha promovido la innovación y el desarrollo de estas industrias.

Los materiales monocristalinos por sí solos no pueden satisfacer las necesidades de la creciente producción de diversos dispositivos semiconductores. A finales de 1959, se desarrolló una tecnología de crecimiento de material monocristalino de capa fina: el crecimiento epitaxial.

El carburo de silicio es uno de los materiales ideales para hacer dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. Para mejorar la eficiencia de producción y reducir los costos, la preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño es una dirección de desarrollo importante.

Según Overseas News, dos fuentes revelaron el 24 de junio que el bytedance está trabajando con la compañía de diseño de chips de EE. UU. Broadcom para desarrollar un procesador de computación de inteligencia artificial (IA) avanzada, que ayudará a los bytedance garantizar un suministro adecuado de chips de alta gama en medio de tensiones entre China y los Estados Unidos.

Como fabricante líder en la industria del SiC, las dinámicas relacionadas de Sanan Optoelectronics han recibido amplia atención en la industria. Recientemente, Sanan Optoelectronics reveló una serie de últimos desarrollos que involucran la transformación de 8 pulgadas, la producción de nuevas fábricas de sustratos, el establecimiento de nuevas empresas, subsidios gubernamentales y otros aspectos.

En el crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes cruciales como el crisol, el soporte de semillas y el anillo guía desempeñan un papel vital. Como se muestra en la Figura 2 [1], durante el proceso PVT, el cristal semilla se coloca en la región de temperatura más baja, mientras que la materia prima de SiC se expone a temperaturas más altas (por encima de 2400 ℃).