MOCVD EPI SUSCEPTER

Semicon'sMOCVD EPI SUSCEPTERes un componente central. En el proceso de preparación de los dispositivos semiconductores,MOCVD EPI SUSCEPTERNo solo es una plataforma de calefacción simple, sino también una herramienta de proceso de precisión, que tiene un profundo impacto en la calidad, la tasa de crecimiento, la uniformidad y otros aspectos de los materiales de películas delgadas.

Los usos específicos deMOCVD EPI SUSCEPTEREn el procesamiento de semiconductores son los siguientes:

● Control de calefacción y uniformidad de sustrato:

El susceptor de epitaxia MOCVD se utiliza para proporcionar un calentamiento uniforme para garantizar la temperatura estable del sustrato durante el crecimiento epitaxial. Esto es esencial para obtener películas de semiconductores de alta calidad y garantizar la consistencia en el grosor y la calidad del cristal de las capas epitaxiales en todo el sustrato.

● Soporte para cámaras de reactores de deposición de vapor químico (CVD):

Como un componente importante en el reactor CVD, el susceptor respalda la deposición de compuestos orgánicos metálicos en sustratos. Ayuda a convertir con precisión estos compuestos en películas sólidas para formar los materiales semiconductores deseados.

● Promover la distribución de gases:

El diseño del susceptor puede optimizar la distribución del flujo de gases en la cámara de reacción, asegurando que el gas de reacción contacte el sustrato de manera uniforme, mejorando así la uniformidad y la calidad de las películas epitaxiales.

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Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

Tiendas de producción:

Descripción general de la cadena industrial de epitaxia de chip de semiconductores：