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Anillo grabado de cuarzo de alta pureza
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Anillo grabado de cuarzo de alta pureza

Las cámaras de grabado con plasma seco dependen de un control preciso de los límites alrededor de la oblea para mantener estables la densidad del plasma, el flujo de gas y la distribución del campo eléctrico. Los anillos de grabado de cuarzo de alta pureza VeTek Semiconductor son componentes de cámara de grado semiconductor hechos de cuarzo fundido deshidroxilado. Definen la zona de proceso en el borde de la oblea, ayudan a confinar el plasma, suavizar el flujo de gas y proteger la periferia de la oblea, lo que permite velocidades de grabado más uniformes y perfiles más limpios en obleas de silicio, SiC, GaN y zafiro de 2 a 12 pulgadas.

1.Características y ventajas clave

Cuarzo fundido deshidroxilado de grado semiconductor con SiO₂ ≥ 99,999 % e impurezas metálicas estrictamente controladas

Operación continua estable hasta 1100 °C, con capacidad a corto plazo cerca de 1200 °C

Fuerte resistencia a los químicos de grabado a base de flúor y cloro y a la exposición al plasma de alta energía.

Baja expansión térmica y buen rendimiento de choque térmico bajo ciclos repetidos de temperatura de la cámara

Desgasificación de bajo vacío para proteger la presión base de la cámara y la composición del gas de proceso

Control dimensional a nivel de micras con superficies de contacto pulidas para un ajuste consistente de la cámara y una definición de los límites del plasma.

Diseños configurables: anillos planos, anillos de grabado escalonados, anillos de ubicación/retención y perfiles totalmente personalizados para las principales plataformas de herramientas de grabado

2.Aplicaciones típicas

Los anillos de grabado de cuarzo de alta pureza se utilizan en cámaras de proceso de grabado por plasma seco para:

Pasos de grabado con plasma de dispositivos lógicos y de memoria

Procesos de grabado de dispositivos de potencia de SiC y GaN

Grabado de estructura de alta relación de aspecto

Procesamiento de plasma de sustratos ópticos y de semiconductores compuestos.

Grabado con plasma de embalaje avanzado y pasos de limpieza relacionados

Herramientas de grabado para laboratorio y producción RIE / ICP

3.Parámetros técnicos clave

Material: cuarzo fundido deshidroxilado de calidad semiconductor, SiO₂ ≥ 99,999%

Compatibilidad con obleas: silicio, SiC, GaN y zafiro de 2/4/6/8/12 pulgadas

Temperatura de funcionamiento: −20 °C a 1100 °C continuo; pico a corto plazo aproximadamente 1200 °C

Funciones principales: confinamiento de los bordes del plasma, guía del flujo de gas, protección de los bordes y aislamiento de la cámara.

Calidad de mecanizado: tolerancias a nivel de micras, superficies pulidas, bordes controlados y acabado limpio

Opciones de estructura: anillo plano, anillo de grabado escalonado, anillo de ubicación/retención y geometrías personalizadas

Personalización: diámetro exterior/interior, espesor, altura del escalón, características de ubicación, chaflanes y detalles de la interfaz por dibujo

4.¿Por qué elegir los anillos grabados de cuarzo de alta pureza VeTek?

VeTek Semiconductor suministra hardware de cuarzo crítico para procesos para herramientas térmicas y de grabado. Para los anillos de grabado, la atención se centra en:

Pureza del material y limpieza de superficies adecuadas para entornos avanzados de grabado en seco

Precisión dimensional que respalda un control estable de los límites del plasma y un ajuste repetible de la cámara

Flexibilidad de diseño para reemplazo estilo OEM e interfaces de cámara totalmente personalizadas

Una gama completa de componentes de cuarzo que también incluye soportes para obleas, tubos para hornos, embarcaciones y piezas de proceso relacionadas.

Al combinar alta pureza, durabilidad del plasma y un control estricto de la geometría, los anillos de grabado de cuarzo de alta pureza VeTek ayudan a mejorar la uniformidad del grabado en toda la oblea, reducen los defectos relacionados con los bordes y admiten ciclos de producción más largos y estables en herramientas de grabado con plasma seco.

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