Sic recubrimiento Ald susceptor

Es semiconductorSic recubrimiento Ald susceptorjuega un papel vital en la deposición de la capa atómica (Fusil) proceso. Su control de temperatura preciso, distribución uniforme de gas, alta resistencia química y excelente conductividad térmica aseguran la uniformidad y la alta calidad del proceso de deposición de la película. Si desea saber más, puede consultarnos de inmediato y le responderemos a tiempo.

Control de temperatura preciso:

SIC Coating ALD El susceptor generalmente tiene un sistema de control de temperatura de alta precisión. Es capaz de mantener un entorno de temperatura uniforme durante todo el proceso de deposición, lo cual es crucial para garantizar la uniformidad y la calidad de la película.

Distribución de gases uniformes:

El diseño optimizado del susceptor ALD de recubrimiento SIC garantiza la distribución uniforme de gas durante el proceso de deposición de ALD. Su estructura generalmente incluye múltiples partes rotativas o móviles para promover una cobertura uniforme de gases reactivos en toda la superficie de la oblea.

Alta resistencia química:

Dado que el proceso ALD implica una variedad de gases químicos, el recubrimiento SIC ALD susceptor generalmente está hecho de materiales resistentes a la corrosión (como platino, cerámica o cuarzo de alta pureza) para resistir la erosión de los gases químicos y la influencia de entornos de alta temperatura.

Excelente conductividad térmica:

Para realizar efectivamente el calor y mantener una temperatura de deposición estable, los susceptores de recubrimiento SIC ALD generalmente usan materiales de conductividad térmica alta. Esto ayuda a evitar el sobrecalentamiento local y la deposición desigual.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

Tiendas de producción:

Descripción general de la cadena industrial de epitaxia de chip de semiconductores：