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Receta de deposición de capa atómica ALD27 2024-07

Receta de deposición de capa atómica ALD

ALD espacial, deposición de capa atómica espacialmente aislada. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre ALD tradicional y ALD espacialmente aislado.
¿Breakthrough de la tecnología de carburo tantalum, contaminación epitaxial sic reducida en un 75%?27 2024-07

¿Breakthrough de la tecnología de carburo tantalum, contaminación epitaxial sic reducida en un 75%?

Recientemente, el Instituto de Investigación Alemán Fraunhofer IISB ha hecho un gran avance en la investigación y desarrollo de la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum, y ha desarrollado una solución de recubrimiento por pulverización que es más flexible y amigable con el medio ambiente que la solución de deposición de CVD, y se ha comercializado.
Aplicación exploratoria de tecnología de impresión 3D en la industria de semiconductores19 2024-07

Aplicación exploratoria de tecnología de impresión 3D en la industria de semiconductores

En una era de desarrollo tecnológico rápido, la impresión 3D, como un representante importante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la cara de la fabricación tradicional. Con el vencimiento continuo de la tecnología y la reducción de los costos, la tecnología de impresión 3D ha mostrado amplias perspectivas de aplicaciones en muchos campos, como aeroespacial, fabricación de automóviles, equipos médicos y diseño arquitectónico, y ha promovido la innovación y el desarrollo de estas industrias.
Tecnología de preparación de epitaxia de silicio (SI)16 2024-07

Tecnología de preparación de epitaxia de silicio (SI)

Los materiales monocristalinos por sí solos no pueden satisfacer las necesidades de la creciente producción de diversos dispositivos semiconductores. A finales de 1959, se desarrolló una tecnología de crecimiento de material monocristalino de capa fina: el crecimiento epitaxial.
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