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Es ideal para construir circuitos integrados o dispositivos semiconductores en una capa base cristalina perfecta. El proceso de epitaxia (EPI) en la fabricación de semiconductores tiene como objetivo depositar una capa fina única cristalina, generalmente aproximadamente 0.5 a 20 micras, en un sustrato de cristal solo. El proceso de epitaxia es un paso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores, especialmente en la fabricación de obleas de silicio.

La principal diferencia entre la epitaxia y la deposición de la capa atómica (ALD) radica en los mecanismos de crecimiento de la película y las condiciones de funcionamiento. La epitaxia se refiere al proceso de cultivo de una película delgada cristalina en un sustrato cristalino con una relación de orientación específica, manteniendo la misma estructura cristalina o similar. En contraste, ALD es una técnica de deposición que implica exponer un sustrato a diferentes precursores químicos en secuencia para formar una película delgada una capa atómica a la vez.

El recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero en un sustrato (grafito). Este método implica depositar TAC en la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que resulta en un recubrimiento de carburo tantálico (TAC) con excelente estabilidad térmica y resistencia química.