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Sic epitaxial horno e investigación de procesos homoepitaxiales de 8 pulgadas

El artículo analiza las propiedades materiales de obleas de sustrato semiconductor como silicio, GaAs, SiC y GaN.

Este artículo describe principalmente la tecnología epitaxial de baja temperatura basada en GaN, incluida la estructura cristalina de los materiales basados ​​en GaN, 3. Requisitos de tecnología epitaxial y soluciones de implementación, las ventajas de la tecnología epitaxial de baja temperatura basadas en principios de PVD y las perspectivas de desarrollo de la tecnología epitaxial de baja temperatura.