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Los recipientes de carburo tantalum (TAC) se usan ampliamente en el campo de semiconductores, principalmente para componentes del reactor de crecimiento epitaxial, componentes clave de crecimiento de cristal único, componentes industriales de alta temperatura, los calentadores de sistemas MOCVD y los portadores de obleas. Es una excelente resistencia a la temperatura y resistencia a la corrosión puede mejorar la durabilidad del equipo, el rendimiento y la calidad de cristal de la energía y mejorar la estadicidad.

Durante el proceso de crecimiento epitaxial de SIC, puede ocurrir una falla de suspensión de grafito recubierto de SIC. Este documento realiza un análisis riguroso del fenómeno de falla de la suspensión de grafito recubierto de SiC, que incluye principalmente dos factores: falla de gas epitaxial SIC y falla de recubrimiento SIC.

Este artículo discute principalmente las ventajas y diferencias del proceso respectivo del proceso de epitaxia del haz molecular y las tecnologías de deposición de vapor químico metal-orgánico.