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El artículo analiza los desafíos específicos que enfrenta el proceso de recubrimiento CVD TaC para el crecimiento de monocristales de SiC durante el procesamiento de semiconductores, como el control de pureza y fuente de material, la optimización de los parámetros del proceso, la adhesión del recubrimiento, el mantenimiento de equipos y la estabilidad del proceso, la protección ambiental y el control de costos, como así como las correspondientes soluciones industriales.

Desde la perspectiva de la aplicación del crecimiento de un solo cristal de SIC, este artículo compara los parámetros físicos básicos del recubrimiento de TAC y el recubrimiento SIC, y explica las ventajas básicas del recubrimiento de TAC sobre el recubrimiento SIC en términos de alta resistencia a la temperatura, fuerte estabilidad química, impurezas reducidas y y reducidas costos más bajos.

Hay muchos tipos de equipos de medición en la fábrica Fab. El equipo común incluye equipos de medición del proceso de litografía, equipos de medición del proceso de grabado, equipo de medición del proceso de deposición de película delgada, equipo de medición del proceso de dopaje, equipo de medición del proceso CMP, equipo de detección de partículas de obleas y otros equipos de medición.