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La sinterización de presión en caliente es el método principal para preparar la cerámica SIC de alto rendimiento. El proceso de sinterización de presión en caliente incluye: seleccionar polvo SIC de alta pureza, prensado y moldeo a alta temperatura y alta presión, y luego sinterización. La cerámica SIC preparada por este método tiene las ventajas de alta pureza y alta densidad, y se usan ampliamente en los discos de molienda y equipos de tratamiento térmico para el procesamiento de obleas.

Los métodos de crecimiento clave del carburo de silicio (SiC) incluyen PVT, TSSG y HTCVD, cada uno con distintas ventajas y desafíos. Los materiales de campo térmico a base de carbono, como sistemas de aislamiento, crisoles, revestimientos de TaC y grafito poroso, mejoran el crecimiento de los cristales al proporcionar estabilidad, conductividad térmica y pureza, esenciales para la fabricación y aplicación precisas del SiC.

El SiC tiene alta dureza, conductividad térmica y resistencia a la corrosión, lo que lo hace ideal para la fabricación de semiconductores. El recubrimiento CVD SiC se crea mediante deposición química de vapor, lo que proporciona una alta conductividad térmica, estabilidad química y una constante de red correspondiente para el crecimiento epitaxial. Su baja expansión térmica y alta dureza garantizan durabilidad y precisión, lo que lo hace esencial en aplicaciones como portadores de obleas, anillos de precalentamiento y más. VeTek Semiconductor se especializa en recubrimientos de SiC personalizados para diversas necesidades de la industria.